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EPC2016C Datenblatt

EPC2016C Datenblatt
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EPC
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: EPC2016C
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EPC2016C

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 11A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 5V

Vgs (Max)

+6V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Die

Paket / Fall

Die