EPC2016C
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| Teilenummer | EPC2016C |
| PNEDA Teilenummer | EPC2016C |
| Beschreibung | GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EPC2016C Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2016C |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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EPC2016C Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 18A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
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