FGY75T95SQDT Datenblatt
FGY75T95SQDT Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FGY75T95SQDT
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 950V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.11V @ 15V, 75A Leistung - max 434W Schaltenergie 8.8mJ (on), 3.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 137nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28.8ns/117ns Testbedingung 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 259ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
