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FGY75T95SQDT

FGY75T95SQDT

Nur als Referenz

Teilenummer FGY75T95SQDT
PNEDA Teilenummer FGY75T95SQDT
Beschreibung IGBT 950V 75A
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.938
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 22 - Jul 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGY75T95SQDT Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGY75T95SQDT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGY75T95SQDT, FGY75T95SQDT Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 589,29 KB)
PDFFGY75T95SQDT Datenblatt Cover
FGY75T95SQDT Datenblatt Seite 2 FGY75T95SQDT Datenblatt Seite 3 FGY75T95SQDT Datenblatt Seite 4 FGY75T95SQDT Datenblatt Seite 5 FGY75T95SQDT Datenblatt Seite 6 FGY75T95SQDT Datenblatt Seite 7 FGY75T95SQDT Datenblatt Seite 8 FGY75T95SQDT Datenblatt Seite 9 FGY75T95SQDT Datenblatt Seite 10

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FGY75T95SQDT Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)950V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.11V @ 15V, 75A
Leistung - max434W
Schaltenergie8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge137nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28.8ns/117ns
Testbedingung600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)259ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3 Variant
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

290µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/70ns

Testbedingung

400V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IGA03N120H2XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

9A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

29W

Schaltenergie

290µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

8.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9.2ns/281ns

Testbedingung

800V, 3A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

STGW30H60DFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

383µJ (on), 293µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

149nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/146ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

STGW20V60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

200µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/149ns

Testbedingung

400V, 20A, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IGP40N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

255W

Schaltenergie

360µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/160ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Kürzlich verkauft

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MAX3232ESE+

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MF-MSMF075-2

MF-MSMF075-2

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MT29F8G16ABACAWP:C

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IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

0451015.MRL

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3296W-1-103LF

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MCP41010T-I/SN

MCP41010T-I/SN

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