FJP2160DTU Datenblatt
FJP2160DTU Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FJP2160DTU
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Hersteller ON Semiconductor Serie ESBC™ Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 800V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 330mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 400mA, 3V Leistung - max 100W Frequenz - Übergang 5MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
