FJP2160DTU
Nur als Referenz
| Teilenummer | FJP2160DTU |
| PNEDA Teilenummer | FJP2160DTU |
| Beschreibung | TRANS NPN 800V 2A TO-220 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FJP2160DTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FJP2160DTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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FJP2160DTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | ESBC™ |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 800V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 330mA, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 400mA, 3V |
| Leistung - max | 100W |
| Frequenz - Übergang | 5MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 500V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 600mA, 5V Leistung - max 50W Frequenz - Übergang 18MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
