HGTG18N120BN Datenblatt
HGTG18N120BN Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
HGTG18N120BN
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 165A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A Leistung - max 390W Schaltenergie 800µJ (on), 1.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 165nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/170ns Testbedingung 960V, 18A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
