Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IPP13N03LB G Datenblatt

IPP13N03LB G Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 270,4 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: IPP13N03LB G
IPP13N03LB G Datenblatt Seite 1
IPP13N03LB G Datenblatt Seite 2
IPP13N03LB G Datenblatt Seite 3
IPP13N03LB G Datenblatt Seite 4
IPP13N03LB G Datenblatt Seite 5
IPP13N03LB G Datenblatt Seite 6
IPP13N03LB G Datenblatt Seite 7
IPP13N03LB G Datenblatt Seite 8
IPP13N03LB G Datenblatt Seite 9
IPP13N03LB G

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1355pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3