IPP13N03LB G
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| Teilenummer | IPP13N03LB G |
| PNEDA Teilenummer | IPP13N03LB-G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 30A TO-220 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.088 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPP13N03LB G Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPP13N03LB G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IPP13N03LB G Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1355pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 52W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3-1 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1375pF @ 12V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 187W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I-PAK Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1624pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 103W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
