ISL6625ACRZ-TK Datenblatt
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 5.5V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) -, 3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 31ns, 18ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (2x2) |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 5.5V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) -, 3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 31ns, 18ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (2x2) |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 5.5V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) -, 3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 31ns, 18ns Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (2x2) |
