ISL6625ACRZ-TK
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| Teilenummer | ISL6625ACRZ-TK |
| PNEDA Teilenummer | ISL6625ACRZ-TK |
| Beschreibung | IC MOSFET DRVR SYNCH RECT 8DFN |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.976 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL6625ACRZ-TK Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL6625ACRZ-TK |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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ISL6625ACRZ-TK Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 5.5V ~ 13.2V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | -, 3A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 36V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 31ns, 18ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN-EP (2x2) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 9A, 9A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 60ns, 60ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIJ |
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