IXBF32N300 Datenblatt
IXBF32N300 Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXBF32N300
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 32A Leistung - max 160W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 142nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 (3 Leads) Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
