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IXBF32N300

IXBF32N300

Nur als Referenz

Teilenummer IXBF32N300
PNEDA Teilenummer IXBF32N300
Beschreibung IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.862
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IXBF32N300 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBF32N300
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBF32N300, IXBF32N300 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 196,23 KB)
PDFIXBF32N300 Datenblatt Cover
IXBF32N300 Datenblatt Seite 2 IXBF32N300 Datenblatt Seite 3 IXBF32N300 Datenblatt Seite 4 IXBF32N300 Datenblatt Seite 5

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IXBF32N300 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 32A
Leistung - max160W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge142nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)1.5µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Falli4-Pac™-5 (3 Leads)
LieferantengerätepaketISOPLUS i4-PAC™

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

174W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/94ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

144A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

320A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 80A

Leistung - max

404W

Schaltenergie

2.65mJ (on), 1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

171nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/201ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

4.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/350ns

Testbedingung

720V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

190µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/168ns

Testbedingung

400V, 10A, 26Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

72ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

156A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Leistung - max

520W

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Gate Charge

350nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/200ns

Testbedingung

480V, 100A, 2.4Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

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