IXBX75N170 Datenblatt
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 580A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 75A Leistung - max 1040W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 350nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 580A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 75A Leistung - max 1040W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 350nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
