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IXBK75N170

IXBK75N170

Nur als Referenz

Teilenummer IXBK75N170
PNEDA Teilenummer IXBK75N170
Beschreibung IGBT 1700V 200A 1040W TO264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.642
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IXBK75N170 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBK75N170
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBK75N170, IXBK75N170 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 179,72 KB)
PDFIXBX75N170 Datenblatt Cover
IXBX75N170 Datenblatt Seite 2 IXBX75N170 Datenblatt Seite 3 IXBX75N170 Datenblatt Seite 4 IXBX75N170 Datenblatt Seite 5

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IXBK75N170 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)580A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 75A
Leistung - max1040W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge350nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)1.5µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 35A

Leistung - max

308W

Schaltenergie

220µJ (on), 215µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/110ns

Testbedingung

390V, 22A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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STGFW30H65FB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

58W

Schaltenergie

151µJ (on), 293µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

149nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/146ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Serie

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IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

93A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

195A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 50A

Leistung - max

415W

Schaltenergie

755µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/225ns

Testbedingung

400V, 50A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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STGWA50M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

880µJ (on), 1.57mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/130ns

Testbedingung

400V, 50A, 6.8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

162ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

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Gate Charge

313nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

116ns/286ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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TO-247-3

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