Infineon Technologies Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

HerstellerInfineon Technologies

Datensätze 393

Seite 14/14

Teilenummer	Hersteller	Beschreibung	Auf Lager	Serie	FET-Typ	FET-Funktion	Drain to Source Voltage (Vdss)	Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	Leistung - max	Betriebstemperatur	Montagetyp	Paket / Fall	Lieferantengerätepaket
DF23MR12W1M1B11BOMA1	Infineon Technologies	MOSFET MODULE 1200V 25A	2.610	CoolSiC™+	2 N-Channel (Dual)	Silicon Carbide (SiC)	1200V (1.2kV)	25A	45mOhm @ 25A, 15V	5.5V @ 10mA	620nC @ 15V	2000pF @ 800V	20mW	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	Module	Module
IRF7331TRPBF-1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC	6.318	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRF7904TRPBF-1	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC	7.776	*	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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