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2SK596S-C
2SK596S-C

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 0.1W

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.1pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SC-72
  • Lieferantengerätepaket: 3-SPA
Auf Lager159
2N5457
2N5457

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V 0.31W TO-92

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 310mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92
Angebot anfordern
2N4416A
2N4416A

Central Semiconductor Corp

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 35V 0.3W TO-72

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-72
Auf Lager1.818
MMBF4092
MMBF4092

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager2.070
U431
U431

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET DUAL P-CH 25V TO-78

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: 2 N-Channel (Dual)
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 500mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-78-6
Auf Lager3.324
SST5485-E3
SST5485-E3

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 35V 4MA SOT-23

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager29.384
SST5462-T1-E3
SST5462-T1-E3

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 55V 4MA SOT-23

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.8V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager8.926
SST4416-E3
SST4416-E3

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 36V 5MA SOT-23

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.2pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager7.292
SST174-E3
SST174-E3

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V 20MA SOT-23

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 0V
  • Widerstand - RDS (Ein): 85 Ohms
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-236
Auf Lager55.275
2N5115
2N5115

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager8.882
2N4416A
2N4416A

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)
Auf Lager2.060
2N4416
2N4416

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)
Auf Lager4.994
2N4393-E3
2N4393-E3

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms
  • Leistung - max: 1.8W
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager2.994
2N4393
2N4393

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms
  • Leistung - max: 1.8W
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager14.098
2N4339
2N4339

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 50V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager284
2N4117A
2N4117A

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AF (TO-72)
Auf Lager8.198
2N4392
2N4392

Vishay Siliconix

Transistoren - JFETs

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

  • Hersteller: Vishay Siliconix
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms
  • Leistung - max: 1.8W
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-206AA (TO-18)
Auf Lager12.940
MMBFJ305
MMBFJ305

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 225mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager6.242
MMBF5458
MMBF5458

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V 350MW SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager68.025
MMBF5434
MMBF5434

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 3nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SuperSOT-3
Auf Lager1.327
MMBFJ271
MMBFJ271

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 225mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager5.818
TF208TH-4-TL-H
TF208TH-4-TL-H

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 1mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 2V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 100mW
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads
  • Lieferantengerätepaket: VTFP
Auf Lager25.179
2SK715V-AC
2SK715V-AC

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 15V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 50mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SC-72
  • Lieferantengerätepaket: 3-SPA
Auf Lager31.559
2SK715V
2SK715V

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 50MA 300MW SPA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 15V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V
  • Stromaufnahme (Id) - max: 50mA
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 300mW
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: SC-72
  • Lieferantengerätepaket: 3-SPA
Auf Lager112
MMBF4091
MMBF4091

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
  • Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager1.321
MMBF5462
MMBF5462

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 40V 0.225W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.8V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 225mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager2
MMBF5459
MMBF5459

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 25V 350MW SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager8.752
J112RLRAG
J112RLRAG

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 35V 0.35W TO92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 35V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms
  • Leistung - max: 350mW
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager265.570
SMMBF4391LT1G
SMMBF4391LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 10nA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
  • Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms
  • Leistung - max: 225mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager6.978
MMBF5460
MMBF5460

ON Semiconductor

Transistoren - JFETs

JFET P-CH 40V 0.225W SOT23

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
  • Stromaufnahme (Id) - max: -
  • Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
  • Widerstand - RDS (Ein): -
  • Leistung - max: 225mW
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager46.111