ALD210808ASCL
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| Teilenummer | ALD210808ASCL |
| PNEDA Teilenummer | ALD210808ASCL |
| Beschreibung | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.362 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ALD210808ASCL Ressourcen
| Marke | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ALD210808ASCL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ALD210808ASCL Technische Daten
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
| FET-Typ | 4 N-Channel, Matched Pair |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 20mV @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.3A, 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A, 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 355pF @ 20V Leistung - max 2.75W, 2.95W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V Leistung - max 1.04W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket 8-MSOP |
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