ALD212914PAL
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| Teilenummer | ALD212914PAL |
| PNEDA Teilenummer | ALD212914PAL |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.632 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ALD212914PAL Ressourcen
| Marke | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ALD212914PAL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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ALD212914PAL Technische Daten
| Hersteller | Advanced Linear Devices Inc. |
| Serie | EPAD®, Zero Threshold™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 20mV @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 500mW |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDIP |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel, Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A, 18.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 15V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket 8-DFN (3x3) |
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