AOC2806
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| Teilenummer | AOC2806 |
| PNEDA Teilenummer | AOC2806 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.712 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AOC2806 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AOC2806 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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AOC2806 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | AlphaMOS |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 700mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-XDFN |
| Lieferantengerätepaket | 4-AlphaDFN (1.7x1.7) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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