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APT13GP120KG

APT13GP120KG

Nur als Referenz

Teilenummer APT13GP120KG
PNEDA Teilenummer APT13GP120KG
Beschreibung IGBT 1200V 41A 250W TO220
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.418
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APT13GP120KG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT13GP120KG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
APT13GP120KG, APT13GP120KG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 156,14 KB)
PDFAPT13GP120KG Datenblatt Cover
APT13GP120KG Datenblatt Seite 2 APT13GP120KG Datenblatt Seite 3 APT13GP120KG Datenblatt Seite 4 APT13GP120KG Datenblatt Seite 5 APT13GP120KG Datenblatt Seite 6

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APT13GP120KG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)41A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 13A
Leistung - max250W
Schaltenergie114µJ (on), 165µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge55nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.9ns/28ns
Testbedingung600V, 13A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220 [K]

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

278W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/90ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

29ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263HV

GT50J121(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Leistung - max

240W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 1.34mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

90ns/300ns

Testbedingung

300V, 50A, 13Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PL

Lieferantengerätepaket

TO-3P(LH)

RGT30NS65DGC9

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

133W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/64ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262

STGB30H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

350µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/160ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

HGTP7N60A4-F102

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

55µJ (on), 150µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

60nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/100ns

Testbedingung

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Kürzlich verkauft

AC0603FR-07100KL

AC0603FR-07100KL

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57

T491D107K016AT

T491D107K016AT

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CAP TANT 100UF 10% 16V 2917

EPM7128SQC100-10N

EPM7128SQC100-10N

Intel

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SDP1108-R

SDP1108-R

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SENSOR PRESSURE DIFF MODULE

IRFU9024NPBF

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Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK

ADM7154ACPZ-3.3-R7

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Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 600MA 8LFCSP

ADG658YRUZ

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Analog Devices

IC MULTIPLEXER 8X1 16TSSOP

NDT454P

NDT454P

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223

MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

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IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

1SMA5940BT3G

1SMA5940BT3G

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DIODE ZENER 43V 1.5W SMA

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FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM