APT15GT60BRDQ1G
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| Teilenummer | APT15GT60BRDQ1G |
| PNEDA Teilenummer | APT15GT60BRDQ1G |
| Beschreibung | IGBT 600V 42A 184W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.966 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT15GT60BRDQ1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT15GT60BRDQ1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT15GT60BRDQ1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 42A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 184W |
| Schaltenergie | 150µJ (on), 215µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 75nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 6ns/105ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A Leistung - max 300W Schaltenergie 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/150ns Testbedingung 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
