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APT50GR120L

APT50GR120L

Nur als Referenz

Teilenummer APT50GR120L
PNEDA Teilenummer APT50GR120L
Beschreibung IGBT 1200V 117A 694W TO264
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.286
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APT50GR120L Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT50GR120L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT50GR120L Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)117A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 50A
Leistung - max694W
Schaltenergie2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge445nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/237ns
Testbedingung600V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

86A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

195A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

800µJ (on), 1.25mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/140ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

STGB6M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

88W

Schaltenergie

36µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/90ns

Testbedingung

400V, 6A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGP19NC60KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 12A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

165µJ (on), 255µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/105ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 32A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

89nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/260ns

Testbedingung

720V, 32A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

190ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

NGTG15N120FL2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

294W

Schaltenergie

1.2mJ (on), 370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

109nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

64ns/128ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

7M24000020

7M24000020

TXC

CRYSTAL 24MHZ 18PF SMD

NFM21CC102R1H3D

NFM21CC102R1H3D

Murata

CAP FEEDTHRU 1000PF 20% 50V 0805

CMSH1-40 TR13

CMSH1-40 TR13

Central Semiconductor Corp

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB

VO14642AABTR

VO14642AABTR

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

LT6656ACDC-2.048#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 2.048V 6DFN

8121-RC

8121-RC

Bourns

COMMON MODE CHOKE 1MH 20A 2LN TH

ES1B-E3/61T

ES1B-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

TC4431EOA

TC4431EOA

Microchip Technology

IC MOSFET DRIVER 30V 1.5A 8-SOIC

DS9503P+

DS9503P+

Maxim Integrated

TVS DIODE 7.5V 6TSOC

BCP53-16T1G

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ON Semiconductor

TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223

STPS2H100U

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STMicroelectronics

DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMB

MTD20P03HDLT4

MTD20P03HDLT4

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 19A DPAK