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APTGF90SK60T1G

APTGF90SK60T1G

Nur als Referenz

Teilenummer APTGF90SK60T1G
PNEDA Teilenummer APTGF90SK60T1G
Beschreibung IGBT 600V 110A 416W SP1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.400
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APTGF90SK60T1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPTGF90SK60T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APTGF90SK60T1G, APTGF90SK60T1G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 487,37 KB)
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APTGF90SK60T1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)110A
Leistung - max416W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 90A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce4.3nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSP1
LieferantengerätepaketSP1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Leistung - max

50W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

550pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM450HA-5F

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

450A

Leistung - max

735W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 10V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

132nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGF300A120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

APT100GT120JRDQ4

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

123A

Leistung - max

570W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.85nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

330A

Leistung - max

1380W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

13mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y3-DCB

Lieferantengerätepaket

Y3-DCB

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