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AT45DB641E-MHN2B-T

AT45DB641E-MHN2B-T

Nur als Referenz

Teilenummer AT45DB641E-MHN2B-T
PNEDA Teilenummer AT45DB641E-MHN2B-T
Beschreibung IC FLASH 64M SPI 85MHZ 8UDFN
Hersteller Adesto Technologies
Stückpreis
1 ---------- $396,7441
50 ---------- $378,1467
100 ---------- $359,5493
200 ---------- $340,9519
400 ---------- $325,4541
500 ---------- $309,9563
Auf Lager 1.819
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AT45DB641E-MHN2B-T Ressourcen

Marke Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT45DB641E-MHN2B-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AT45DB641E-MHN2B-T, AT45DB641E-MHN2B-T Datenblatt (Total Pages: 72, Größe: 2.740,84 KB)
PDFAT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Cover
AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 2 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 3 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 4 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 5 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 6 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 7 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 8 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 9 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 10 AT45DB641E-CCUN2B-T Datenblatt Seite 11

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AT45DB641E-MHN2B-T Technische Daten

HerstellerAdesto Technologies
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße64Mb (256 Bytes x 32K pages)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz85MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8µs, 5ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-UDFN (5x6)

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R1LV1616RBG-5SI#B0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-FBGA (7.5x8.5)

CY7C025AV-25AXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (8K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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7134SA25J8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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IS61DDB41M36A-300M3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.4ns

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-LFBGA (15x17)

IDT71V65802S133PFG

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

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