BCR158WH6327XTSA1
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| Teilenummer | BCR158WH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BCR158WH6327XTSA1 |
| Beschreibung | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 18 - Mai 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BCR158WH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BCR158WH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt |
| Datenblatt |
BCR158WH6327XTSA1, BCR158WH6327XTSA1 Datenblatt
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BCR158WH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Leistung - max | 250mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT323-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 254mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-1123 Lieferantengerätepaket SOT-1123 |
