BFU725F/N1,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFU725F/N1,115 |
| PNEDA Teilenummer | BFU725F-N1-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 92.274 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFU725F/N1 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU725F/N1,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU725F/N1 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 2.8V |
| Frequenz - Übergang | 55GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz |
| Gewinn | 10dB ~ 24dB |
| Leistung - max | 136mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 10mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-343 Reverse Pinning |
| Lieferantengerätepaket | 4-SO |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz Gewinn 13dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz Gewinn 9dB ~ 14.5dB Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn 10.5dB Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 5.6dB Leistung - max 1350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M112 Lieferantengerätepaket M112 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.6dB @ 900MHz Gewinn 18.5dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323-3 |
