BSD235NH6327XTSA1
Nur als Referenz
Teilenummer | BSD235NH6327XTSA1 |
PNEDA Teilenummer | BSD235NH6327XTSA1 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 283.926 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
BSD235NH6327XTSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BSD235NH6327XTSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- BSD235NH6327XTSA1 Datasheet
- where to find BSD235NH6327XTSA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1
- BSD235NH6327XTSA1 PDF Datasheet
- BSD235NH6327XTSA1 Stock
- BSD235NH6327XTSA1 Pinout
- Datasheet BSD235NH6327XTSA1
- BSD235NH6327XTSA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- BSD235NH6327XTSA1 Price
- BSD235NH6327XTSA1 Distributor
BSD235NH6327XTSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 950mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 950mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.6µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.32nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 63pF @ 10V |
Leistung - max | 500mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferantengerätepaket | PG-SOT363-6 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 62V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V Leistung - max 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate, 1.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 10V Leistung - max 1W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-TSST |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie GreenBridge™ PowerTrench® FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 15V Leistung - max 1.9W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 12-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 12-MLP (5x4.5) |
Alpha & Omega Semiconductor Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie AlphaMOS FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 700mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-XDFN Lieferantengerätepaket 4-AlphaDFN (1.7x1.7) |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 20V Leistung - max 17.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |