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BSL308CL6327HTSA1

BSL308CL6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSL308CL6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BSL308CL6327HTSA1
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.340
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSL308CL6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSL308CL6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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BSL308CL6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs500nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds275pF @ 15V
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
LieferantengerätepaketPG-TSOP-6-6

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 15V

Leistung - max

680mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

FDMQ8203

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

GreenBridge™ PowerTrench®

FET-Typ

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V, 80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 50V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

12-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

12-MLP (5x4.5)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

495A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1360nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP6

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2890pF @ 25V

Leistung - max

50W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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Surface Mount

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