FDMQ8203
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| Teilenummer | FDMQ8203 |
| PNEDA Teilenummer | FDMQ8203 |
| Beschreibung | MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 26.676 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMQ8203 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMQ8203 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDMQ8203 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | GreenBridge™ PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V, 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.4A, 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 50V |
| Leistung - max | 2.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 12-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 12-MLP (5x4.5) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 246nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11200pF @ 25V Leistung - max 694W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2.7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 259nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V Leistung - max 250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A, 1.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 830mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
