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CAV24C04YE-GT3

CAV24C04YE-GT3

Nur als Referenz

Teilenummer CAV24C04YE-GT3
PNEDA Teilenummer CAV24C04YE-GT3
Beschreibung IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8TSSOP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.870
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 10 - Jul 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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CAV24C04YE-GT3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCAV24C04YE-GT3
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CAV24C04YE-GT3, CAV24C04YE-GT3 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 142,56 KB)
PDFCAV24C08YE-GT3 Datenblatt Cover
CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 2 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 3 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 4 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 5 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 6 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 7 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 8 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 9 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 10 CAV24C08YE-GT3 Datenblatt Seite 11

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CAV24C04YE-GT3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße4Kb (512 x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz400kHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit900ns
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Hersteller

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Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-TFBGA (8x10)

S40135MM270B0S010

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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