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CY62256LL-70PXC

CY62256LL-70PXC

Nur als Referenz

Teilenummer CY62256LL-70PXC
PNEDA Teilenummer CY62256LL-70PXC
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 2.126
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CY62256LL-70PXC Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCY62256LL-70PXC
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
CY62256LL-70PXC, CY62256LL-70PXC Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 323,67 KB)
PDFCY62256LL-70ZXIT Datenblatt Cover
CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 2 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 3 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 4 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 5 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 6 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 7 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 8 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 9 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 10 CY62256LL-70ZXIT Datenblatt Seite 11

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CY62256LL-70PXC Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite70ns
Zugriffszeit70ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall28-DIP (0.600", 15.24mm)
Lieferantengerätepaket28-DIP

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Hersteller

Microchip Technology

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16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

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Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1.5ms

Zugriffszeit

3500ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

512Mb (128M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-FBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA

24LC128-I/PG

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

71V67603S133BQG

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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