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DMG1029SV-7

DMG1029SV-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMG1029SV-7
PNEDA Teilenummer DMG1029SV-7
Beschreibung MOSFET N/P-CH 60V SOT563
Hersteller Diodes Incorporated
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 9 - Mai 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMG1029SV-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMG1029SV-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMG1029SV-7, DMG1029SV-7 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 288,5 KB)
PDFDMG1029SV-7 Datenblatt Cover
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DMG1029SV-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.500mA, 360mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 25V
Leistung - max450mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta), 2.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V, 5.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 15V, 240pF @ 15V

Leistung - max

1.15W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

SI6913DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

830mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

104A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7220pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6-P

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 10V

Leistung - max

7.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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N and P-Channel

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Ta), 1.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC, 2.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

180pF, 120pF @ 15V

Leistung - max

500mW (Ta)

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