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DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMG4822SSDQ-13
PNEDA Teilenummer DMG4822SSDQ-13
Beschreibung MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 7.668
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 4 - Jun 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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DMG4822SSDQ-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMG4822SSDQ-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMG4822SSDQ-13, DMG4822SSDQ-13 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 433,3 KB)
PDFDMG4822SSDQ-13 Datenblatt Cover
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DMG4822SSDQ-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds478.9pF @ 16V
Leistung - max1.42W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

800mA, 550mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

83pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-666

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A, 3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.6nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

914pF @ 6V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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AON4807_101

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Leistung - max

1.9W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x2)

NTJD5121NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

295mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 20V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 15V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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