Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMG8601UFG-7
PNEDA Teilenummer DMG8601UFG-7
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 21.858
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMG8601UFG-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMG8601UFG-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMG8601UFG-7, DMG8601UFG-7 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 157,71 KB)
PDFDMG8601UFG-7 Datenblatt Cover
DMG8601UFG-7 Datenblatt Seite 2 DMG8601UFG-7 Datenblatt Seite 3 DMG8601UFG-7 Datenblatt Seite 4 DMG8601UFG-7 Datenblatt Seite 5 DMG8601UFG-7 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMG8601UFG-7 Datasheet
  • where to find DMG8601UFG-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMG8601UFG-7
  • DMG8601UFG-7 PDF Datasheet
  • DMG8601UFG-7 Stock

  • DMG8601UFG-7 Pinout
  • Datasheet DMG8601UFG-7
  • DMG8601UFG-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMG8601UFG-7 Price
  • DMG8601UFG-7 Distributor

DMG8601UFG-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.05V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds143pF @ 10V
Leistung - max920mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerUDFN
LieferantengerätepaketU-DFN3030-8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTMD6N04R2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 32V

Leistung - max

1.29W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

FDMQ8203

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

GreenBridge™ PowerTrench®

FET-Typ

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V, 80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 50V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

12-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

12-MLP (5x4.5)

SP8M6TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

ALD111933SAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.9V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.35V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

FDC3601N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

153pF @ 50V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

Kürzlich verkauft

ATTINY816-MN

ATTINY816-MN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20QFN

MMA7660FCT

MMA7660FCT

NXP

ACCELEROMETER 1.5G I2C 10DFN

MBRA210LT3G

MBRA210LT3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 10V 2A SMA

NC7SZ125M5X

NC7SZ125M5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SOT23-5

MCP6042-I/SN

MCP6042-I/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

DS9503P+

DS9503P+

Maxim Integrated

TVS DIODE 7.5V 6TSOC

NC7WZ07P6X

NC7WZ07P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

3296W-1-103LF

3296W-1-103LF

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.5W PC PIN TOP

S25FL256SAGMFI000

S25FL256SAGMFI000

Cypress Semiconductor

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC

ADUM1400CRWZ

ADUM1400CRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

MC9S12HZ256VAL

MC9S12HZ256VAL

NXP

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 112LQFP

LTM4605IV#PBF

LTM4605IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-16V 5A