Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Nur als Referenz

Teilenummer DMT3009LDT-7
PNEDA Teilenummer DMT3009LDT-7
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.326
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMT3009LDT-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMT3009LDT-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMT3009LDT-7, DMT3009LDT-7 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 448,84 KB)
PDFDMT3009LDT-7 Datenblatt Cover
DMT3009LDT-7 Datenblatt Seite 2 DMT3009LDT-7 Datenblatt Seite 3 DMT3009LDT-7 Datenblatt Seite 4 DMT3009LDT-7 Datenblatt Seite 5 DMT3009LDT-7 Datenblatt Seite 6 DMT3009LDT-7 Datenblatt Seite 7 DMT3009LDT-7 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • DMT3009LDT-7 Datasheet
  • where to find DMT3009LDT-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMT3009LDT-7
  • DMT3009LDT-7 PDF Datasheet
  • DMT3009LDT-7 Stock

  • DMT3009LDT-7 Pinout
  • Datasheet DMT3009LDT-7
  • DMT3009LDT-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMT3009LDT-7 Price
  • DMT3009LDT-7 Distributor

DMT3009LDT-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 15V
Leistung - max1.2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketV-DFN3030-8 (Type K)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

GA100SCPL12-227E

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

EPC2101

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 30V, 1200pF @ 30V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

FDJ1032C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC75-6 FLMP

Lieferantengerätepaket

SC75-6 FLMP

NX3008CBKV,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

400mA, 220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 15V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-666

SI4818DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W, 1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

Kürzlich verkauft

ISL29023IROZ-T7

ISL29023IROZ-T7

Renesas Electronics America Inc.

SENSOR OPT 540NM AMBIENT 6ODFN

FSA5157L6X

FSA5157L6X

ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT 6MICROPAK

RT6238BHGQUF

RT6238BHGQUF

Richtek USA Inc.

IC REG BUCK ADJUSTABLE 8A 14UQFN

FC-135 32.7680KA-A5

FC-135 32.7680KA-A5

EPSON

CRYSTAL 32.7680 KHZ 12.5PF SMD

CY8C24123A-24SXI

CY8C24123A-24SXI

Cypress Semiconductor

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 8SOIC

74LCX16373MTDX

74LCX16373MTDX

ON Semiconductor

IC LATCH TRANSP 16BIT LV 48TSSOP

SC2596SETRT

SC2596SETRT

Semtech

IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC

MBR140SFT1G

MBR140SFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L

MAX7360ETL+

MAX7360ETL+

Maxim Integrated

IC CTRLR KEY-SW I2C 40TQFN

24LC32A-I/ST

24LC32A-I/ST

Microchip Technology

IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8TSSOP

IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

TPSE226K035R0200

TPSE226K035R0200

CAP TANT 22UF 10% 35V 2917