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FDD8426H

FDD8426H

Nur als Referenz

Teilenummer FDD8426H
PNEDA Teilenummer FDD8426H
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 12A/10A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.590
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 10 - Mai 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FDD8426H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFDD8426H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FDD8426H, FDD8426H Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 463,6 KB)
PDFFDD8426H Datenblatt Cover
FDD8426H Datenblatt Seite 2 FDD8426H Datenblatt Seite 3 FDD8426H Datenblatt Seite 4 FDD8426H Datenblatt Seite 5 FDD8426H Datenblatt Seite 6 FDD8426H Datenblatt Seite 7 FDD8426H Datenblatt Seite 8 FDD8426H Datenblatt Seite 9 FDD8426H Datenblatt Seite 10 FDD8426H Datenblatt Seite 11

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FDD8426H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SeriePowerTrench®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A, 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2735pF @ 20V
Leistung - max1.3W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
LieferantengerätepaketTO-252-4L

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Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-8

BSM080D12P2C008

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 13.2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V

Leistung - max

600W

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

ALD212908PAL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

IRFI4019HG-117P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.9V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 25V

Leistung - max

18W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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