FDR8308P
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| Teilenummer | FDR8308P |
| PNEDA Teilenummer | FDR8308P |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.316 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDR8308P Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDR8308P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDR8308P Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 10V |
| Leistung - max | 800mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | SuperSOT™-8 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V, 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 115mA, 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Leistung - max 200mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
