FDMS7700S
Nur als Referenz
| Teilenummer | FDMS7700S |
| PNEDA Teilenummer | FDMS7700S |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.508 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMS7700S Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FDMS7700S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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FDMS7700S Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A, 22A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 15V |
| Leistung - max | 1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | Power56 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1755pF @ 25V Leistung - max 60W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-ECH |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 20V Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
