FGA30T65SHD
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| Teilenummer | FGA30T65SHD |
| PNEDA Teilenummer | FGA30T65SHD |
| Beschreibung | IGBT 650V 60A 238W TO-3PN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.064 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGA30T65SHD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA30T65SHD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA30T65SHD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 238W |
| Schaltenergie | 598µJ (on), 167µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 54.7nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 14.4ns/52.8ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31.8ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.81V @ 15V, 40A Leistung - max 268W Schaltenergie 1.22mJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/64ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 101ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A Leistung - max 229W Schaltenergie 2.1mJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 72ns/165ns Testbedingung 600V, 15A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 118A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 224A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A Leistung - max 543W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/100ns Testbedingung 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D3Pak |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 26A Leistung - max 337W Schaltenergie 409µJ (on), 450µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 128nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/102ns Testbedingung 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 62.5W Schaltenergie 456µJ (on), 411µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/208ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3PF |
