FGA60N65SMD
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGA60N65SMD |
| PNEDA Teilenummer | FGA60N65SMD |
| Beschreibung | IGBT 650V 120A 600W TO3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 15.276 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 8 - Mai 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
FGA60N65SMD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | FGA60N65SMD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- FGA60N65SMD Datasheet
- where to find FGA60N65SMD
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor FGA60N65SMD
- FGA60N65SMD PDF Datasheet
- FGA60N65SMD Stock
- FGA60N65SMD Pinout
- Datasheet FGA60N65SMD
- FGA60N65SMD Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- FGA60N65SMD Price
- FGA60N65SMD Distributor
FGA60N65SMD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 600W |
| Schaltenergie | 1.54mJ (on), 450µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 189nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/104ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 47ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microchip Technology Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 3.5A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5V @ 13V, 3A Leistung - max 2.5W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 8ns/20ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie 2.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/250ns Testbedingung 1360V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263HV |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 260W Schaltenergie 330µJ (on), 720µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 214nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 43ns/140ns Testbedingung 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 380A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 82A Leistung - max 1250W Schaltenergie 4.95mJ (on), 2.78mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 215nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/192ns Testbedingung 600V, 80A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 330A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 290W Schaltenergie 1.05mJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 250nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/170ns Testbedingung 480V, 40A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
