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HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Nur als Referenz

Teilenummer HGTG40N60B3
PNEDA Teilenummer HGTG40N60B3
Beschreibung IGBT 600V 70A 290W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.596
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HGTG40N60B3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTG40N60B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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HGTG40N60B3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)330A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
Leistung - max290W
Schaltenergie1.05mJ (on), 800µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge250nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.47ns/170ns
Testbedingung480V, 40A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

144A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 48A

Leistung - max

325W

Schaltenergie

1.7mJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/140ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

FGA25N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 50A

Leistung - max

312W

Schaltenergie

4.1mJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/190ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/250ns

Testbedingung

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268HV

STGWA30N120KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.85V @ 15V, 20A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 4.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/251ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

84ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

APT35GP120B2DQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 35A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

750µJ (on), 680µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/95ns

Testbedingung

600V, 35A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

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