FGH30T65UPDT-F155
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGH30T65UPDT-F155 |
| PNEDA Teilenummer | FGH30T65UPDT-F155 |
| Beschreibung | IGBT 650V 60A 250W TO247-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 11.064 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH30T65UPDT-F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH30T65UPDT-F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGH30T65UPDT-F155, FGH30T65UPDT-F155 Datenblatt
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FGH30T65UPDT-F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 760µJ (on), 400µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 155nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/139ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 8Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 43ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 Long Leads |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 5A Leistung - max 60W Schaltenergie 60µJ (on), 340µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/160ns Testbedingung 390V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 32A Leistung - max 200W Schaltenergie 1.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/120ns Testbedingung 480V, 32A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max 195W Schaltenergie 524µJ (on), 473µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/48ns Testbedingung 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
