FGH60N60SMD
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| Teilenummer | FGH60N60SMD |
| PNEDA Teilenummer | FGH60N60SMD |
| Beschreibung | IGBT 600V 120A 600W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 20.880 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGH60N60SMD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH60N60SMD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGH60N60SMD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 600W |
| Schaltenergie | 1.26mJ (on), 450µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 189nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/104ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 39ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A Leistung - max 375W Schaltenergie 3.68mJ (on), 1.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/216ns Testbedingung 400V, 75A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14.3A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 64A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 9A Leistung - max 34W Schaltenergie 250µJ (on), 640µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 43ns/240ns Testbedingung 480V, 9A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 7A Leistung - max 70W Schaltenergie 95µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/50ns Testbedingung 480V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A Leistung - max 340W Schaltenergie 1.28mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/115ns Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
