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FGH75T65SQDNL4

FGH75T65SQDNL4

Nur als Referenz

Teilenummer FGH75T65SQDNL4
PNEDA Teilenummer FGH75T65SQDNL4
Beschreibung 650V/75 FAST IGBT FSIII T
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $79,1709
50 ---------- $75,4598
100 ---------- $71,7487
200 ---------- $68,0375
400 ---------- $64,9449
500 ---------- $61,8523
Auf Lager 1.241
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FGH75T65SQDNL4 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH75T65SQDNL4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGH75T65SQDNL4, FGH75T65SQDNL4 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 430,14 KB)
PDFFGH75T65SQDNL4 Datenblatt Cover
FGH75T65SQDNL4 Datenblatt Seite 2 FGH75T65SQDNL4 Datenblatt Seite 3 FGH75T65SQDNL4 Datenblatt Seite 4 FGH75T65SQDNL4 Datenblatt Seite 5 FGH75T65SQDNL4 Datenblatt Seite 6 FGH75T65SQDNL4 Datenblatt Seite 7 FGH75T65SQDNL4 Datenblatt Seite 8 FGH75T65SQDNL4 Datenblatt Seite 9 FGH75T65SQDNL4 Datenblatt Seite 10 FGH75T65SQDNL4 Datenblatt Seite 11

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FGH75T65SQDNL4 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
Leistung - max375W
Schaltenergie1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge152nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.44ns/208ns
Testbedingung400V, 75A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)134ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-4
LieferantengerätepaketTO-247-4L

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IRGI4060DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

23A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.72V @ 15V, 7.5A

Leistung - max

37W

Schaltenergie

47µJ (on), 141µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/101ns

Testbedingung

400V, 7.5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

73ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

IRG4BC20SD-SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

19A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

38A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 10A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

320µJ (on), 2.58mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

62ns/690ns

Testbedingung

480V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

AOTF10B60D2

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 5A

Leistung - max

31.2W

Schaltenergie

140µJ (on), 40µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/83ns

Testbedingung

400V, 5A, 60Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

98ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

STGYA120M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

*

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 120A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 4.41mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

66ns/185ns

Testbedingung

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

202ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

MAX247™

IRG4PH50KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 24A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.21mJ (on), 2.25mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/200ns

Testbedingung

960V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

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