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FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM

Nur als Referenz

Teilenummer FQD18N20V2TM
PNEDA Teilenummer FQD18N20V2TM
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.520
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FQD18N20V2TM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQD18N20V2TM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQD18N20V2TM, FQD18N20V2TM Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 903,17 KB)
PDFFQD18N20V2TM Datenblatt Cover
FQD18N20V2TM Datenblatt Seite 2 FQD18N20V2TM Datenblatt Seite 3 FQD18N20V2TM Datenblatt Seite 4 FQD18N20V2TM Datenblatt Seite 5 FQD18N20V2TM Datenblatt Seite 6 FQD18N20V2TM Datenblatt Seite 7 FQD18N20V2TM Datenblatt Seite 8 FQD18N20V2TM Datenblatt Seite 9

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FQD18N20V2TM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1080pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD-Pak
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4770pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263-7

Paket / Fall

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

BUK9840-55/CUX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta), 10.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

8.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-73

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

DN2535N3-G-P003

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

350V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25Ohm @ 120mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

FET-Funktion

Depletion Mode

Verlustleistung (max.)

1W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92 (TO-226)

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

NP80N06PLG-E1B-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

128nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta), 115W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF1010ZL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2840pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

140W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Kürzlich verkauft

IS82C54

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Renesas Electronics America Inc.

IC OSC PROG TIMER 8MHZ 28PLCC

LTC3676HUJ-1#TRPBF

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IC REG CONV I.MX6 7OUT 40QFN

IXGX120N60B

IXGX120N60B

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IGBT 600V 200A 660W TO247

AD8620ARZ

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IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC

LM211DT

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STMicroelectronics

IC VOLTAGE COMPARATOR 8-SOIC

DS3231SN#T&R

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ADG419BRZ

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IC SWITCH SPDT 8SOIC

LTM4613IV#PBF

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DC DC CONVERTER 12V 8A

ADM2481BRWZ

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DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC

B1100-13-F

B1100-13-F

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ATMEGA328P-15AZ

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