GA10JT12-263
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Teilenummer | GA10JT12-263 |
PNEDA Teilenummer | GA10JT12-263 |
Beschreibung | TRANS SJT 1200V 25A |
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 17.196 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GA10JT12-263 Ressourcen
Marke | GeneSiC Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | GA10JT12-263 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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GA10JT12-263 Technische Daten
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 10A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 170W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | - |
Paket / Fall | - |
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