H11G1SR2M
Nur als Referenz
| Teilenummer | H11G1SR2M |
| PNEDA Teilenummer | H11G1SR2M |
| Beschreibung | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 21.687 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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H11G1SR2M Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11G1SR2M |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
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H11G1SR2M Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 4170Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 1000% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 100µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Darlington with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 100V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 1V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | 6-SMD |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 4 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp AC, DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SO |
