HGT1S3N60A4DS9A
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| Teilenummer | HGT1S3N60A4DS9A |
| PNEDA Teilenummer | HGT1S3N60A4DS9A |
| Beschreibung | IGBT 600V 17A 70W D2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.930 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 9 - Jul 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HGT1S3N60A4DS9A Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGT1S3N60A4DS9A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
HGT1S3N60A4DS9A, HGT1S3N60A4DS9A Datenblatt
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HGT1S3N60A4DS9A Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 17A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 70W |
| Schaltenergie | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 21nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 6ns/73ns |
| Testbedingung | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 29ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
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