HGTG20N60A4D
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| Teilenummer | HGTG20N60A4D |
| PNEDA Teilenummer | HGTG20N60A4D |
| Beschreibung | IGBT 600V 70A 290W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 11.568 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTG20N60A4D Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTG20N60A4D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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HGTG20N60A4D Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 280A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 290W |
| Schaltenergie | 105µJ (on), 150µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 142nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/73ns |
| Testbedingung | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 161W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/75ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 58ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket LPDS |
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